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IXDD408PI/408SI//408YI/408CI
Absolute Maximum Ratings (Note 1)
Operating Ratings
Parameter
Supply Voltage
All Other Pins
Power Dissipation, T AMBIENT ≤ 25 oC
8 Pin PDIP (PI)
8 Pin SOIC (SI)
TO220 (CI), TO263 (YI)
Value
25 V
-0.3 V to VCC + 0.3 V
975mW
1055mW
17W
Parameter
Maximum Junction Temperature
Operating Temperature Range
Thermal Impedance (Junction To Case)
TO220 (CI), TO263 (YI) ( θ JC )
Value
150 oC
-40 oC to 85 oC
0.95 oC/W
Derating Factors (to Ambient)
8 Pin PDIP (PI)
8 Pin SOIC (SI)
TO220 (CI), TO263 (YI)
Storage Temperature
Lead Temperature (10 sec)
7.6mW/oC
8.2mW/oC
0.14W/oC
-65 oC to 150 oC
300 oC
Electrical Characteristics
Unless otherwise noted, T A = 25 o C, 4.5V ≤ V CC ≤ 25V .
All voltage measurements with respect to GND. IXDD408 configured as described in Test Conditions .
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Units
V IH
V IL
High input voltage
Low input voltage
3.5
0.8
V
V
V IN
Input voltage range
-5
V CC + 0.3
V
I IN
Input current
0V ≤ V IN ≤ V CC
-10
10
μ A
V OH
V OL
High output voltage
Low output voltage
V CC - 0.025
0.025
V
V
R OH
Output resistance
I OUT = 10mA, V CC = 18V
0.8
1.5
?
@ Output high
R OL
Output resistance
I OUT = 10mA, V CC = 18V
0.8
1.5
?
@ Output Low
I PEAK
I DC
Peak output current
Continuous output
V CC is 18V
Limited by package power
8
2
A
A
current
dissipation
V EN
Enable voltage range
- .3
Vcc + 0.3
V
V ENH
V ENL
High En Input Voltage
Low En Input Voltage
2/3 Vcc
1/3 Vcc
V
V
t R
t F
t ONDLY
Rise time
Fall time
On-time propagation
C L =2500pF Vcc=18V
C L =2500pF Vcc=18V
C L =2500pF Vcc=18V
12
13
37
14
15
38
18
19
42
ns
ns
ns
delay
t OFFDLY
Off-time propagation
C L =2500pF Vcc=18V
32
34
38
ns
delay
t ENOH
Enable to output high
Vcc=18V
52
ns
delay time
t DOLD
Disable to output low
Vcc=18V
30
ns
Disable delay time
V CC
I CC
Power supply voltage
Power supply current
V IN = 3.5V
V IN = 0V
V IN = + V CC
4.5
18
1
0
25
3
10
10
V
mA
μ A
μ A
Specifications Subject To Change Without Notice
2
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